Modulador de intensidade Rof, modulador de filme fino de niobato de lítio 40G TFLN

Descrição resumida:

O material de filme fino de niobato de lítio sobre isolante (LNOI) herda as excelentes propriedades eletro-ópticas dos materiais de niobato de lítio em massa, oferecendo uma nova solução para chips moduladores eletro-ópticos de alta velocidade que podem ser integrados, miniaturizados e apresentar alta eficiência de modulação. Desenvolvemos um modulador eletro-óptico de filme fino de LiNbO3 de banda larga e baixa tensão de meia onda baseado em material LNOI. Nosso produto apresenta excelentes características de alta estabilidade, baixa perda de inserção e tamanho reduzido, sendo mais vantajoso do que os moduladores tradicionais de niobato de lítio em massa, e possui amplas perspectivas de aplicação em comunicação óptica de alta velocidade e fotônica de micro-ondas.


Detalhes do produto

A Rofea Optoelectronics oferece produtos de moduladores eletro-ópticos ópticos e fotônicos.

Etiquetas do produto

Recurso

Alta largura de banda, baixa perda, baixa tensão de acionamento, tamanho reduzido, alta estabilidade.

 

Campo

Comunicação óptica de alta velocidade, fotônica de micro-ondas, radar, etc.

Modulador de intensidade Rof EOM 20G, modulador de niobato de lítio de filme fino, modulador TFLN

Parâmetro

Paparato

Sym

indicador

Unidade

comprimento de onda de trabalho

λ

1530~1565

nm

perda de inserção óptica

IL

≤ 5,5 (Típico 4,5)

dB

taxa de extinção

ER

≥ 25

dB

Perda de retorno óptico

RL

≤ -30

dB

Potência óptica de entrada máxima

Pin

≤ 200

mW

Largura de banda de modulação eletro-óptica (3dB, a partir de 2GHz)

BW

≥ 40

GHz

Tensão de meia onda de RF a 50 kHz

≤ 3,5

V

Reflexão de RF

S11

≤ -10

dB

Potência máxima de entrada de RF

Sin

≤ 25

dBm

Potência de meia onda de polarização térmica

50

mW

tensão de polarização térmica

Uaquecedor

< 8

V

Temperatura de operação

TO

-55~85

Temperatura de armazenamento

TS

-55~85

 

Informações sobre o pedido

 

Sym

Ddescrição

Parâmetro opcional

λ

comprimento de onda de trabalho C (~1550nm)O (~1310nm)

BW

Largura de banda de 3dB 40 (40 GHz)

PD

Monitoramento da DP 1 (integrado), 0 (não integrado)

IF

Fibra óptica de entrada P (fibra de manutenção de polarização)

OF

Fibra óptica de saída P (fibra com manutenção de polarização), S (fibra monomodo padrão)

S

Tensão de meia onda Padrão S

Tamanho da embalagem e definição do pino

Pem definição:

Spequenino

Função

RF

Entrada RF, conector fêmea de 1,85 mm

A

Eletrodo de polarização termostática (positivo e negativo)

B

eletrodo de polarização termostática

C

eletrodo de polarização de ajuste térmico de reserva

D

eletrodo de polarização de ajuste térmico de reserva

 

 

 


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  • A Rofea Optoelectronics oferece uma linha de produtos comerciais composta por moduladores eletro-ópticos, moduladores de fase, moduladores de intensidade, fotodetectores, fontes de luz laser, lasers DFB, amplificadores ópticos, EDFA, lasers SLD, modulação QPSK, lasers pulsados, detectores de luz, fotodetectores balanceados, drivers de laser, amplificadores de fibra óptica, medidores de potência óptica, lasers de banda larga, lasers sintonizáveis, detectores ópticos, drivers de diodo laser e amplificadores de fibra. Também fornecemos diversos moduladores específicos para personalização, como moduladores de fase com matriz 1x4, moduladores de Vpi ultrabaixo e moduladores com taxa de extinção ultra-alta, utilizados principalmente em universidades e institutos.
    Esperamos que nossos produtos sejam úteis para você e sua pesquisa.

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