Fotodetector de silício ROF com ganho ajustável

Descrição resumida:

O ROF-PR-11M-B é um fotodetector de silício (Si) com amplificação e ganho ajustável, projetado para detectar sinais ópticos na faixa de 320 nm a 1100 nm. Possui uma chave rotativa de 8 posições, permitindo que os usuários ajustem o ganho em incrementos de 10 dB. O buffer pode acionar cargas de alta impedância com uma saída de até 10 V e fornece 5 V sob uma carga de 50 Ω. A carcaça do ROF-PR-11M-B inclui um conector rosqueado removível (SM1T1) e um anel fixo (SM1RR), que são compatíveis com acessórios ópticos de mesmas especificações por meio de roscas internas ou externas. Isso facilita a instalação de filtros ópticos externos e proporciona um mecanismo de montagem simples.


Detalhes do produto

A Rofea Optoelectronics oferece produtos de moduladores eletro-ópticos ópticos e fotônicos.

Etiquetas do produto

Recurso

Faixa espectral: 320 nm ~ 1100 nm

Largura de banda de 3dB: até 11MHz

Configuração de ganho máximo: 4,75×106 V/A (carga de alta impedância)

Baixo ruído

Entrada de acoplamento óptico espacial, acoplamento de fibra opcional

Fotodetector de silício, Fotodetector de silício, fotodetector, fotodetector de ganho ajustável

Aplicativo

l Detecção de luz fraca

Sistema de sensoriamento por fibra óptica

Comunicação óptica espacial

Informações para encomenda

Modelo

Parâmetro

ROF-PR-11M-B

ROF-PR-13M-A

Frequência de resposta

DC-11MHz

DC-13MHz

Tipo

Silício (Si)

Arsenieto de índio e gálio (InGaAs)

Sensibilidade à luz 1

320nm~1100nm

900nm~1700nm

Área fotossensível

Ø9,8 mm (75,4 mm)2 )

Ø1,0 mm (0,8 mm)2 )

Nota 1: Valor aproximado; o valor real do comprimento de onda pode variar.

 

 

 

Parâmetros

Especificações de desempenho 2    (KG-PR-11M-B)

0dB contexto

40dB contexto

Ganho (alta resistência > 5k Ω)

1,50 x 103V/A ±2%

Ganho (alta resistência > 5k Ω)

1,50 x 105V/A ±2%

Ganho (50 Ω)

0,75 x 103V/A ±2%

Ganho (50 Ω)

0,75 x 105V/A ±2%

Largura de banda de 3dB 3

11 MHz

Largura de banda de 3dB

150 mil

Ruído (RMS)

400uV

Ruído (RMS)

 500uV

viés

±8 mV (Típ.)

±20mV (máx.)

viés

±8 mV (Típ.) 

±20mV (máx.) 

10dB contexto

50dB contexto

Ganho (alta resistência > 5k Ω)

4,75 x 103V/A ±2%

Ganho (alta resistência > 5k Ω)

4,75 x 105V/A ±2%

Ganho (50 Ω)

2,38 x 103V/A ±2%

Ganho (50 Ω)

2,38 x 105V/A ±2%

Largura de banda de 3dB

1,4 MHz

Largura de banda de 3dB

50 mil

Ruído (RMS)

  350uV

Ruído (RMS)

 520 uV

viés

±8 mV (Típ.) 

±20mV (máx.) 

viés

±8 mV (Típ.) 

±20mV (máx.) 

20dB contexto

60dB contexto

Ganho (alta resistência > 5k Ω)

1,50 x 104V/A ±2%

Ganho (alta resistência > 5k Ω)

1,50 x 106V/A ±2%

Ganho (50 Ω)

0,75 x 104V/A ±2%

Ganho (50 Ω)

0,75 x 106V/A ±2%

Largura de banda de 3dB

1,0 MHz

Largura de banda de 3dB

20 mil

Ruído (RMS)

 380uV

Ruído (RMS)

 760 uV

viés

±8 mV (Típ.) 

±20mV (máx.) 

viés

 ±8 mV (Típ.) 

±20mV (máx.) 

30dB contexto

70dB contexto

Ganho (alta resistência > 5k Ω)

4,75 x 104V/A ±2%

Ganho (alta resistência > 5k Ω)

4,75 x 106V/A ±2%

Ganho (50 Ω)

2,38 x 104V/A ±2%

Ganho (50 Ω)

2,38 x 106V/A ±2%

Largura de banda de 3dB

400 mil

Largura de banda de 3dB

10 mil

Ruído (RMS)

 380uV

Ruído (RMS)

 1,43mV

viés

±8 mV (Típ.) 

±20mV (máx.) 

viés

±8 mV (Típ.) 

±20mV (máx.) 

Nota 2:ROFO modelo -PR-11M-B possui um resistor de terminação em série de 50 Ω (ou seja, conectado em série com a saída do amplificador). Isso forma um divisor de tensão com qualquer impedância de carga (como uma carga de 50 Ω dividindo o sinal ao meio).

Nota 3: Realize o teste em um comprimento de onda de 850 nm. Para comprimentos de onda no infravermelho próximo, o tempo de subida dos componentes do fotodiodo será mais lento, o que pode limitar a largura de banda efetiva do detector de amplificação.

Parâmetros gerais

Projeto

sim

valor

Tipo de detector

-

Si

Superfície fotossensível

-

Ø9,8 mm (75,4 mm)2 )

Comprimento de onda de pico

λp

960 nm (típico)

Resposta máxima

Â( λ p)

0,72 A/W (típico)

Impedância de saída

-

50Ω

amplitude máxima da corrente de saída

Imax

100mA

amplitude máxima da tensão de saída

Vmáx.

10,00 V @ alta impedância 5,00 V @ carga de 50 Ω

Faixa de carga

-

>50 Ω

Faixa de ajuste de ganho

-

0dB~70dB

Passo de ganho

-

10 dB

Interruptor de alimentação

-

lado

Chave de ganho

-

8ª marcha

Saída

-

SMA (acoplamento CC)

Dimensões do produto

-

66,6 mm * 52,2 mm * 22,4 mm

Profundidade da superfície PD 4

-

6,1 mm

Peso (sem acessórios)

-

70g

Acessórios

-

Acoplamento SM1T1, anel de retenção SM1RR

Fonte de energia

-

Adaptador AC-DC ± 12V

Potência da fonte de alimentação

-

6 W

100V/120V/230V, 50-60 Hz

Nota 4: A altura aproximada entre a superfície da estrutura da caixa e a superfície do fotodiodo pode resultar em erros de instalação na prática.

Condição limitante

 

 

Parâmetro

sim

Unidade

Min

Típico

Máximo

Potência óptica de entrada

Alfinete

mW

-

-

25

Tensão de trabalho

Voto

V

±10,8

±12

±13,2

Temperatura de operação

Principal

ºC

-10

-

60

Temperatura de armazenamento

Tst

ºC

-40

-

85

umidade

RH

%

5

-

90

Curva

Curva característica

ROF-Diagrama de resposta de sensibilidade PR-11M-B

 

Tamanho da embalagem (mm)

Sobre nós

A Rofea Optoelectronics apresenta uma ampla gama de produtos eletro-ópticos, incluindo moduladores, fotodetectores, fontes de laser, lasers DFB, amplificadores ópticos, EDFAs, lasers SLD, modulação QPSK, lasers pulsados, fotodetectores, fotodetectores balanceados, lasers semicondutores, drivers de laser, acopladores de fibra, lasers pulsados, amplificadores de fibra, medidores de potência óptica, lasers de banda larga, lasers sintonizáveis, retardos ópticos, moduladores eletro-ópticos, fotodetectores, drivers de diodo laser, amplificadores de fibra, amplificadores de fibra dopada com érbio e lasers de fonte.
Também fornecemos moduladores personalizados, incluindo moduladores de fase de matriz 1*4, moduladores de Vpi ultrabaixo e moduladores de taxa de extinção ultra-alta, especialmente projetados para universidades e institutos de pesquisa.
Esses produtos apresentam largura de banda eletro-óptica de até 40 GHz, faixa de comprimento de onda de 780 nm a 2000 nm, baixa perda de inserção, baixo Vp e alto PER, tornando-os adequados para uma variedade de links de RF analógicos e aplicações de comunicação de alta velocidade.


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  • A Rofea Optoelectronics oferece uma linha de produtos comerciais composta por moduladores eletro-ópticos, moduladores de fase, moduladores de intensidade, fotodetectores, fontes de luz laser, lasers DFB, amplificadores ópticos, EDFA, lasers SLD, modulação QPSK, lasers pulsados, detectores de luz, fotodetectores balanceados, drivers de laser, amplificadores de fibra óptica, medidores de potência óptica, lasers de banda larga, lasers sintonizáveis, detectores ópticos, drivers de diodo laser e amplificadores de fibra. Também fornecemos diversos moduladores específicos para personalização, como moduladores de fase com matriz 1x4, moduladores de Vpi ultrabaixo e moduladores com taxa de extinção ultra-alta, utilizados principalmente em universidades e institutos.
    Esperamos que nossos produtos sejam úteis para você e sua pesquisa.

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