Modulador de intensidade Rof EOM 1550nm 2.5G modulador de niobato de lítio de filme fino
Recurso
* Baixa perda de inserção
* Alta largura de banda
* Baixa tensão de meia onda
* Opção de personalização
Aplicativo
⚫ Sistemas ROF
⚫ Distribuição de chaves quânticas
⚫ Sistemas de detecção a laser
⚫ Modulação de banda lateral
Comprimento de onda
⚫750 nm
⚫850 nm
⚫ 1064 nm
⚫ 1310nm
⚫ 1550nm
Largura de banda
⚫ 10 GHz
⚫ 20 GHz
⚫ 40 GHz
⚫ 50 GHz
R-AM-15-2,5G
| Parâmetro | Símbolo | Mínimo | Tipo | Máx. | Unidade | ||||
| Parâmetros ópticos | |||||||||
| Operandocomprimento de onda | l | 1530 | 1550 | 1565 | nm | ||||
| Perda de inserção | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| Perda de retorno óptico | ORL | -45 | dB | ||||||
| Taxa de extinção do interruptor @DC | ER@DC | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
| Razão de extinção dinâmica | DER | 13 | dB | ||||||
| Fibra óptica | Entradaporta | Panda PM Fujikura SM | |||||||
| saídaporta | Panda PM Fujikura SM | ||||||||
| Interface de fibra óptica | FC/PC、FC/APC Ou usuário a ser especificado | ||||||||
| Parâmetros elétricos | |||||||||
| Operandolargura de banda(-3dB） | S21 | 2,5 | 3 | GHz | |||||
| Tensão de meia onda Vpi | RF | @50KHz |
| 4,5 | 5 | V | |||
| Bias | @Viés |
| 6 | 7 | V | ||||
| Elétricoalperda de retorno | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| Impedância de entrada | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| Viés | ZVIÉS | 1M | W | ||||||
| Interface elétrica | SMA(f) | ||||||||
Condições Limite
| Parâmetro | Símbolo | Unidade | Mínimo | Tipo | Máx. |
| Potência óptica de entrada | Pdentro, Máx. | dBm | 20 | ||
| Ipotência de RF de entrada | dBm | 28 | |||
| tensão de polarização | Vbias | V | -15 | 15 | |
| Operandotemperatura | Principal | ℃ | -10 | 60 | |
| Temperatura de armazenamento | Teste | ℃ | -40 | 85 | |
| Umidade | RH | % | 5 | 90 |
Curva S21
Curva &S11
Curvas S21 e s11
Diagrama Mecânico
| PORTA | Símbolo | Observação |
| Em | Oporta de entrada óptica | Fibra PM (125μm/250μm) |
| Fora | Oporta de saída óptica | PM Fibra(125μm/250μm) |
| RF | RPorta de entrada F | SMA(f)/ K(f) / V(f) |
| Viés | Porta de controle de polarização | 1,2 Viés, 3-cátodo PD, ânodo 4-PD |
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