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  • Modulador Rof Eo Fonte de laser pulsado Módulo laser DFB Laser semicondutor DFB Fonte de luz

    Modulador Rof Eo Fonte de laser pulsado Módulo laser DFB Laser semicondutor DFB Fonte de luz

    A série ROF-DFB de fontes de luz laser DFB (realimentação distribuída) adota chips laser DFB de alto desempenho, circuitos ATC e APC com design exclusivo e controle de isolamento, garantindo altíssima estabilidade de potência e comprimento de onda. Este tipo de fonte de luz é aplicado principalmente em diversas áreas, como átomos frios, sensoriamento por fibra óptica, comunicação por fibra óptica e lasers de fibra. Oferece soluções de ajuste fino de potência e comprimento de onda de acordo com as necessidades do cliente.

    A fonte de laser DFB utiliza um chip de laser DFB de alto desempenho, circuitos ATC e APC com design exclusivo e controle de isolamento para garantir potência extremamente alta e estabilidade de comprimento de onda.

     

     

  • Dispositivo laser semicondutor Rof Butterfly N/S Módulo de driver laser Butterfly

    Dispositivo laser semicondutor Rof Butterfly N/S Módulo de driver laser Butterfly

    ROFO módulo de driver de laser borboleta tipo N/S foi projetado para dispositivos semicondutores borboleta (lasers borboleta, SOA, lasers bombeados de modo único). Ele integra internamente o acionamento do diodo laser e o controle TEC, realizando simultaneamente o controle de corrente constante e o controle de temperatura. Apresenta alta precisão de corrente, boas características de corrente constante, temperatura estável e forte capacidade anti-interferência. É altamente adequado para uso em laboratórios, instituições de pesquisa, etc.

  • Modulador Rof TFLN 70G Modulador de intensidade modulador de niobato de lítio de filme fino

    Modulador Rof TFLN 70G Modulador de intensidade modulador de niobato de lítio de filme fino

    O modulador de intensidade de banda ultra-alta R-TFLN-70G é um dispositivo de conversão eletro-óptica de alto desempenho. Este produto é fabricado com tecnologia de acoplamento de alta precisão, alcançando uma largura de banda eletro-óptica de 3 dB e uma taxa máxima de modulação eletro-óptica de até 70 GHz. Comparado aos moduladores de cristal de niobato de lítio tradicionais, este produto apresenta baixa tensão de meia onda, alta estabilidade, tamanho reduzido e controle de polarização térmica e óptica. Pode ser amplamente aplicado em áreas como comunicação óptica digital, fotônica de micro-ondas, redes de comunicação de backbone e projetos de pesquisa em comunicação.

  • Fotodetector de silício ROF de 2,5 GHz, alta largura de banda, ganho fixo, balanceado.

    Fotodetector de silício ROF de 2,5 GHz, alta largura de banda, ganho fixo, balanceado.

    A série ROF-BPR de módulos de detecção de luz balanceada (fotodetector de silício balanceado) integra dois fotodiodos correspondentes e um amplificador de transimpedância de ruído ultrabaixo, reduzindo efetivamente o ruído do laser e o ruído de modo comum, melhorando a relação sinal-ruído do sistema. Oferece diversas opções de resposta espectral, baixo ruído, alto ganho e facilidade de uso. É utilizada principalmente em espectroscopia, detecção heterodina, medição de atraso óptico, tomografia de coerência óptica e outras áreas.

    O módulo de detecção balanceada de alto ganho, otimizado para o sistema OCT de terceira geração (SS-OCT), apresenta alto ganho e baixo ruído. Ele alcança uma alta taxa de rejeição de modo comum e alta amplitude de tensão de saída por meio da otimização do comprimento de onda. Este detector possui uma largura de banda de até 2,5 GHz e é otimizado para comprimentos de onda de 1064 nm e 1310 nm.

  • Módulo laser de estabilização de frequência com largura de linha estreita de 1550 nm para laser semicondutor Rof

    Módulo laser de estabilização de frequência com largura de linha estreita de 1550 nm para laser semicondutor Rof

    O módulo laser semicondutor de linha estreita da série Micro Source Photon, com largura de linha ultranarrow, ruído RIN ultrabaixo, excelente estabilidade de frequência e confiabilidade, é amplamente utilizado em sistemas de sensoriamento e detecção por fibra óptica (DTS, DVS, DAS, etc.).

     

  • Modulador eletro-óptico Rof 1064nm Eo modulador de fase LiNbO3 2G

    Modulador eletro-óptico Rof 1064nm Eo modulador de fase LiNbO3 2G

    O modulador de fase de LiNbO3 é amplamente utilizado em sistemas de comunicação óptica de alta velocidade, sensores a laser e sistemas ROF devido ao seu excelente efeito eletro-óptico. A série R-PM, baseada na tecnologia de difusão de Ti e APE, possui características físico-químicas estáveis, atendendo aos requisitos da maioria das aplicações em experimentos de laboratório e sistemas industriais.

  • Modulador eletro-óptico Rof, modulador Eo de 300 MHz e 1064 nm, modulador de fase LiNbO3

    Modulador eletro-óptico Rof, modulador Eo de 300 MHz e 1064 nm, modulador de fase LiNbO3

    O modulador de fase de LiNbO3 é amplamente utilizado em sistemas de comunicação óptica de alta velocidade, sensores a laser e sistemas ROF devido ao seu excelente efeito eletro-óptico. A série R-PM, baseada na tecnologia de difusão de Ti e APE, possui características físico-químicas estáveis, atendendo aos requisitos da maioria das aplicações em experimentos de laboratório e sistemas industriais.

  • Modulador óptico Rof 780nm, modulador de fase eletro-óptico, modulador EO 10G

    Modulador óptico Rof 780nm, modulador de fase eletro-óptico, modulador EO 10G

    O modulador de fase eletro-óptico de niobato de lítio da série ROF-PM de 780 nm adota tecnologia avançada de troca de prótons, apresentando baixa perda de inserção, alta largura de banda de modulação, baixa tensão de meia onda e outras características, sendo utilizado principalmente em sistemas de comunicação óptica espacial, referência de tempo atômico de césio, alargamento de espectro, interferometria e outras áreas.

  • Modulador eletro-óptico Rof 850nm Modulador de fase 10G

    Modulador eletro-óptico Rof 850nm Modulador de fase 10G

    O modulador de fase de LiNbO3 é amplamente utilizado em sistemas de comunicação óptica de alta velocidade, sensores a laser e sistemas ROF devido ao seu excelente efeito eletro-óptico. A série R-PM, baseada na tecnologia de difusão de Ti e APE, possui características físico-químicas estáveis, atendendo aos requisitos da maioria das aplicações em experimentos de laboratório e sistemas industriais.

  • Modulador eletro-óptico Rof 1550nm Modulador de fase 10G linbo3

    Modulador eletro-óptico Rof 1550nm Modulador de fase 10G linbo3

    O modulador de fase de LiNbO3 (modulador linbo3) é amplamente utilizado em sistemas de comunicação óptica de alta velocidade, sensores a laser e sistemas ROF devido ao seu excelente efeito eletro-óptico. A série R-PM, baseada nas tecnologias de difusão de Ti e APE, possui características físico-químicas estáveis, atendendo aos requisitos da maioria das aplicações em experimentos de laboratório e sistemas industriais.

  • Modulador eletro-óptico Rof 1550nm Modulador de fase Modulador de niobato de lítio 40G

    Modulador eletro-óptico Rof 1550nm Modulador de fase Modulador de niobato de lítio 40G

    O modulador de fase eletro-óptico de niobato de lítio (modulador de niobato de lítio) baseado no processo de difusão de titânio apresenta características como baixa perda de inserção, alta largura de banda de modulação, baixa tensão de meia onda e alta potência óptica de dano. É utilizado principalmente em áreas como o controle de chirp óptico em sistemas de comunicação óptica de alta velocidade, o deslocamento de fase em sistemas de comunicação coerente, a geração de bandas laterais em sistemas ROF e a redução do espalhamento Brillouin estimulado (SBS) em sistemas de comunicação por fibra óptica analógica.

  • Modulador eletro-óptico Rof 1064nm, modulador Eo, modulador de fase 10G

    Modulador eletro-óptico Rof 1064nm, modulador Eo, modulador de fase 10G

    O modulador de fase de LiNbO3 é amplamente utilizado em sistemas de comunicação óptica de alta velocidade, sensores a laser e sistemas ROF devido ao seu excelente efeito eletro-óptico. A série R-PM é baseada em Ti-difundido e APE.

    A tecnologia apresenta características físico-químicas estáveis, capazes de atender aos requisitos da maioria das aplicações em experimentos de laboratório e sistemas industriais.