Modulador Rof EOM 40 GHz Modulador de fase de niobato de lítio de película fina
Recurso
■ Largura de banda de RF de até 40 GHz
■ Tensão de meia onda baixa para 3 V
■ Perda de inserção tão baixa quanto 4,5 dB
■ Tamanho pequeno do dispositivo
Parâmetro
| Categoria | Argumento | Sim | Uni | Aointer | |
|
Desempenho óptico (@25°C)
| Comprimento de onda operacional (*) | λ | nm | ~1550 | |
| Perda de retorno óptico
| ORL | dB | ≤ -27 | ||
| Perda de inserção óptica (*) | IL | dB | MÁX: 5,5 Tipo: 4,5 | ||
| Propriedades elétricas (@25°C)
| Largura de banda eletro-óptica de 3 dB (de 2 GHz | S21 | GHz | X1: 2 | X1: 4 |
| MÍN: 18 Tipo: 20 | MÍN: 36 Tipo: 40 | ||||
| Tensão de meia onda de RF (@50 kHz)
| Vπ | V | MÁX: 3,5 Tipo：3.0 | ||
| Perda de retorno de RF (2 GHz a 40 GHz)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
| Condições de trabalho
| Temperatura de operação | TO | °C | -20~70 | |
* personalizável
Limite de dano
| Argumento | Sim | Selecionável | MÍNIMO | MÁXIMO | Uni |
| Potência de entrada de RF | Pecado | X2: 4 | - | 18 | dBm |
| X2: 5 | - | 29 | |||
| Tensão de oscilação de entrada de RF | Vpp | X2: 4 | -2,5 | +2,5 | V |
| X2: 5 | -8,9 | +8,9 | |||
| Tensão RMS de entrada de RF | Vrms | X2: 4 | - | 1,78 | V |
| X2: 5 | - | 6h30 | |||
| Temperatura de armazenamento | Alfinete | - | - | 20 | dBm |
| Potência de entrada óptica | Ts | - | -40 | 85 | °C |
| Umidade relativa (sem condensação) | RH | - | 5 | 90 | % |
Se o dispositivo exceder o limite máximo de danos, isso causará danos irreversíveis ao dispositivo, e esse tipo de dano ao dispositivo não é coberto pelo serviço de manutenção.
Amostra de teste S21 (valor típico de 40 GHz)
S21&S11
Informações do pedido
Modulador de fase de niobato de lítio de filme fino 20 GHz/40 GHz
| selecionável | Descrição | selecionável |
| X1 | Largura de banda eletro-óptica de 3 dB | 2 ou 4 |
| X2 | Potência máxima de entrada de RF | 4 ou 5
|
Sobre nós
A Rofea Optoelectronics oferece uma gama de produtos comerciais, incluindo moduladores eletro-ópticos, moduladores de fase, fotodetectores, fontes de laser, lasers DFB, amplificadores ópticos, EDFAs, lasers SLD, modulação QPSK, lasers pulsados, fotodetectores, fotodetectores balanceados, lasers semicondutores, drivers de laser, acopladores de fibra, lasers pulsados, amplificadores de fibra, medidores de potência óptica, lasers de banda larga, lasers ajustáveis, linhas de atraso óptico, moduladores eletro-ópticos, detectores ópticos, drivers de diodo laser, amplificadores de fibra, amplificadores de fibra dopada com érbio e fontes de luz laser.
O modulador de fase LiNbO3 é amplamente utilizado em sistemas de comunicação óptica de alta velocidade, sensores a laser e sistemas ROF devido ao seu excelente efeito eletro-óptico. A série R-PM, baseada na tecnologia de difusão de Ti e APE, possui características físicas e químicas estáveis, que atendem aos requisitos da maioria das aplicações em experimentos de laboratório e sistemas industriais.
A Rofea Optoelectronics oferece uma linha de produtos de moduladores eletro-ópticos comerciais, moduladores de fase, moduladores de intensidade, fotodetectores, fontes de luz laser, lasers DFB, amplificadores ópticos, EDFA, laser SLD, modulação QPSK, laser de pulso, detector de luz, fotodetector balanceado, driver de laser, amplificador de fibra óptica, medidor de potência óptica, laser de banda larga, laser sintonizável, detector óptico, driver de diodo laser e amplificador de fibra. Também fornecemos diversos moduladores específicos para personalização, como moduladores de fase de matriz 1*4, moduladores de Vpi ultrabaixo e moduladores de taxa de extinção ultraalta, utilizados principalmente em universidades e institutos.
Esperamos que nossos produtos sejam úteis para você e sua pesquisa.
