Modulador EOM Rof 40GHz, modulador de fase, modulador de filme fino de niobato de lítio
Recurso
■ Largura de banda de RF de até 40 GHz
■ Tensão de meia onda baixa para 3 V
■ Perda de inserção tão baixa quanto 4,5 dB
■ Tamanho reduzido do dispositivo
Parâmetro
| Categoria | Argumento | Sim | Uni | Aointer | |
|
Desempenho óptico (@25°C)
| Comprimento de onda operacional (*) | λ | nm | ~1550 | |
| Perda de retorno óptico
| ORL | dB | ≤ -27 | ||
| Perda de inserção óptica (*) | IL | dB | MÁX.: 5,5 Tipo: 4,5 | ||
| Propriedades elétricas (@25°C)
| Largura de banda eletro-óptica de 3 dB (a partir de 2 GHz) | S21 | GHz | X1: 2 | X1: 4 |
| MÍN: 18 Tipo: 20 | MÍN: 36 Tipo: 40 | ||||
| Tensão de meia onda de RF (@50 kHz)
| Vπ | V | MÁX.: 3,5 Tipo: 3.0 | ||
| Perda de retorno de RF (2 GHz a 40 GHz)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
| Condições de funcionamento
| Temperatura de operação | TO | °C | -20~70 | |
* personalizável
Limiar de dano
| Argumento | Sim | Selecionável | MIN | MÁXIMO | Uni |
| Potência de entrada de RF | Pecado | X2: 4 | - | 18 | dBm |
| X2: 5 | - | 29 | |||
| tensão de oscilação de entrada de RF | Vpp | X2: 4 | -2,5 | +2,5 | V |
| X2: 5 | -8,9 | +8,9 | |||
| Tensão RMS de entrada de RF | Vrms | X2: 4 | - | 1,78 | V |
| X2: 5 | - | 6:30 | |||
| Temperatura de armazenamento | Alfinete | - | - | 20 | dBm |
| Potência de entrada óptica | Ts | - | -40 | 85 | ℃ |
| Umidade relativa (sem condensação) | RH | - | 5 | 90 | % |
Se o dispositivo ultrapassar o limite máximo de danos, sofrerá danos irreversíveis, e esse tipo de dano não é coberto pelo serviço de manutenção.
Amostra de teste S21 (valor típico de 40 GHz)
S21&S11
Informações sobre o pedido
Modulador de fase de 20 GHz/40 GHz de niobato de lítio de película fina
| selecionável | Descrição | selecionável |
| X1 | Largura de banda eletro-óptica de 3 dB | 2 ou 4 |
| X2 | Potência máxima de entrada de RF | 4 ou 5
|
Sobre nós
A Rofea Optoelectronics oferece uma gama de produtos comerciais, incluindo moduladores eletro-ópticos, moduladores de fase, fotodetectores, fontes de laser, lasers DFB, amplificadores ópticos, EDFAs, lasers SLD, modulação QPSK, lasers pulsados, fotodetectores, fotodetectores balanceados, lasers semicondutores, drivers de laser, acopladores de fibra, lasers pulsados, amplificadores de fibra, medidores de potência óptica, lasers de banda larga, lasers sintonizáveis, linhas de retardo óptico, moduladores eletro-ópticos, detectores ópticos, drivers de diodo laser, amplificadores de fibra, amplificadores de fibra dopada com érbio e fontes de luz laser.
O modulador de fase de LiNbO3 é amplamente utilizado em sistemas de comunicação óptica de alta velocidade, sensores a laser e sistemas ROF devido ao seu excelente efeito eletro-óptico. A série R-PM, baseada na tecnologia de difusão de Ti e APE, possui características físico-químicas estáveis, atendendo aos requisitos da maioria das aplicações em experimentos de laboratório e sistemas industriais.
A Rofea Optoelectronics oferece uma linha de produtos comerciais composta por moduladores eletro-ópticos, moduladores de fase, moduladores de intensidade, fotodetectores, fontes de luz laser, lasers DFB, amplificadores ópticos, EDFA, lasers SLD, modulação QPSK, lasers pulsados, detectores de luz, fotodetectores balanceados, drivers de laser, amplificadores de fibra óptica, medidores de potência óptica, lasers de banda larga, lasers sintonizáveis, detectores ópticos, drivers de diodo laser e amplificadores de fibra. Também fornecemos diversos moduladores específicos para personalização, como moduladores de fase em matriz 1x4, moduladores de Vpi ultrabaixo e moduladores de taxa de extinção ultra-alta, utilizados principalmente em universidades e institutos.
Esperamos que nossos produtos sejam úteis para você e sua pesquisa.
