Rof modulador eletroóptico semicondutor laser ase fonte de luz de banda larga módulo laser ase
Recurso
Bem, estabilidade de energia
Baixo grau de saída de polarização
Controle inteligente por microprocessador
Bem estabilidade de comprimento de onda médio
Aplicativo
Análise espectral e imagens biomédicas
Imagem biomédica
Sistema de detecção de fibra óptica
Teste de giroscópio óptico
Parâmetros
Parâmetro | Mínimo | Tipo | Máx. | Unidade | ||
Comprimento de onda operacional | C | 1525 | - | 1565 | nm | |
L | 1570 | - | 1610 | |||
C+L | 1525 | 1610 | ||||
1060 | 1030 | 1090 | ||||
Potência de saída | 13/10/17/23 | dBm | ||||
Densidade espectral de potência | -20 | -2 | dBm | |||
Estabilidade de energia | 15min @ 23℃ | 2,0 | 3,0 | 5,0 | % | |
8h @ 23℃ | - | 0,01 | 0,02 | dB | ||
3dBlargura espectral | 37 | 40 | 42 | nm | ||
Planicidade espectral | 1,5 | 2 | dB | |||
Especificação | Área de trabalho | Módulo | ||||
DimensõesC x L x A | 320×220×90 milímetros | 90×70×18mm | ||||
Requisito de energia | CA 220V ± 10% 30W | CC +5V TERRA | ||||
Tipo de fibra óptica | SMF-28 ou PMF | |||||
Tipo de conector | FC/PC、FC/APCou especificado pelo usuário |
Curva
Espectrograma de banda C (com GFF) Espectrograma de banda C e banda L (com GFF)
Sobre nós
A Rofea Optoelectronics oferece uma linha abrangente de moduladores eletro-ópticos comerciais, moduladores de fase, fotodetectores, fontes de luz laser, lasers DFB, amplificadores ópticos, EDFAs, lasers SLD, modulação QPSK, lasers de pulso, detectores de luz, fotodetectores balanceados, lasers semicondutores, drivers de laser , acopladores de fibra, lasers pulsados, amplificadores de fibra óptica, medidores de potência óptica, lasers de banda larga, lasers sintonizáveis, atraso óptico eletro-óptico moduladores, detectores ópticos, drivers de diodo laser, amplificadores de fibra, amplificadores de fibra dopada com érbio e fontes de luz laser. Além disso, fornecemos muitos moduladores personalizáveis, como moduladores de fase de matriz 1*4, Vpi ultrabaixo e moduladores de taxa de extinção ultra-alta, que são utilizados principalmente em universidades e institutos. Nossos produtos oferecem uma faixa de comprimento de onda de 780 nm a 2.000 nm com larguras de banda eletro-ópticas de até 40 GHz, apresentando baixa perda de inserção, baixo Vp e alto PER. Eles são ideais para diversas aplicações, desde links de RF analógicos até comunicações de alta velocidade.
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