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  • Estrutura do fotodetector InGaAs

    Estrutura do fotodetector InGaAs

    Estrutura do fotodetector InGaAs Desde a década de 1980, pesquisadores nacionais e internacionais têm estudado a estrutura dos fotodetectores InGaAs, que são divididos principalmente em três tipos: fotodetector metal-semicondutor-metal (MSM-PD) de InGaAs, fotodetector PIN de InGaAs (PIN-PD) e fotodetector de avalanche de InGaAs (Avalanche-Display-Detector).
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  • Fonte de luz ultravioleta extrema de alta frequência

    Fonte de luz ultravioleta extrema de alta frequência

    Fonte de luz ultravioleta extrema de alta frequência. Técnicas de pós-compressão combinadas com campos de duas cores produzem uma fonte de luz ultravioleta extrema de alto fluxo. Para aplicações Tr-ARPES, reduzir o comprimento de onda da luz de excitação e aumentar a probabilidade de ionização do gás são meios eficazes...
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  • Avanços na tecnologia de fontes de luz ultravioleta extrema

    Avanços na tecnologia de fontes de luz ultravioleta extrema

    Avanços na tecnologia de fontes de luz ultravioleta extrema. Nos últimos anos, as fontes de alta harmônica ultravioleta extrema têm atraído grande atenção no campo da dinâmica de elétrons devido à sua forte coerência, curta duração de pulso e alta energia de fótons, sendo utilizadas em diversas aplicações espectrais e...
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  • Modulador eletro-óptico de niobato de lítio de filme fino altamente integrado

    Modulador eletro-óptico de niobato de lítio de filme fino altamente integrado

    Modulador eletro-óptico de alta linearidade e aplicação de fótons de micro-ondas. Com as crescentes exigências dos sistemas de comunicação, a fim de aprimorar ainda mais a eficiência da transmissão de sinais, busca-se combinar fótons e elétrons para obter vantagens complementares, e a fotônica de micro-ondas...
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  • Material de niobato de lítio em película fina e modulador de niobato de lítio em película fina

    Material de niobato de lítio em película fina e modulador de niobato de lítio em película fina

    Vantagens e importância do niobato de lítio em filme fino na tecnologia fotônica de micro-ondas integrada. A tecnologia fotônica de micro-ondas apresenta vantagens como ampla largura de banda de operação, forte capacidade de processamento paralelo e baixa perda de transmissão, o que tem o potencial de superar o gargalo técnico de...
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  • técnica de telemetria a laser

    técnica de telemetria a laser

    Técnica de medição de distância a laser Princípio do telêmetro a laser Além do uso industrial de lasers para processamento de materiais, outros campos, como aeroespacial, militar e outros, também estão constantemente desenvolvendo aplicações a laser. Entre eles, o laser usado na aviação e no setor militar está cada vez mais presente...
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  • Princípios e tipos de laser

    Princípios e tipos de laser

    Princípios e tipos de laser O que é um laser? LASER (Amplificação da Luz por Emissão Estimulada de Radiação); Para entender melhor, observe a imagem abaixo: Um átomo em um nível de energia mais alto transita espontaneamente para um nível de energia mais baixo e emite um fóton, um processo chamado transição espontânea...
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  • Técnicas de multiplexação óptica e sua integração para comunicação em chip e por fibra óptica

    Técnicas de multiplexação óptica e sua integração para comunicação em chip e por fibra óptica

    A equipe de pesquisa da Profª. Khonina, do Instituto de Sistemas de Processamento de Imagens da Academia Russa de Ciências, publicou um artigo intitulado “Técnicas de multiplexação óptica e sua integração” na revista Opto-Electronic Advances for on-chip and optical fiber communication: a review. Profª. Khonina...
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  • Técnicas de multiplexação óptica e sua aplicação em chips: uma revisão.

    Técnicas de multiplexação óptica e sua aplicação em chips: uma revisão.

    Técnicas de multiplexação óptica e sua aplicação em comunicação em chip e por fibra óptica: uma revisão. As técnicas de multiplexação óptica constituem um tema de pesquisa urgente, e estudiosos de todo o mundo estão conduzindo pesquisas aprofundadas nessa área. Ao longo dos anos, muitas tecnologias de multiplexação, como...
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  • Evolução e progresso da tecnologia de co-embalagem optoeletrônica CPO - Parte dois

    Evolução e progresso da tecnologia de co-embalagem optoeletrônica CPO - Parte dois

    Evolução e progresso da tecnologia de co-embalagem optoeletrônica CPO. A co-embalagem optoeletrônica não é uma tecnologia nova; seu desenvolvimento remonta à década de 1960, mas, naquela época, a co-embalagem fotoelétrica era apenas uma simples combinação de dispositivos optoeletrônicos. Na década de 1990,...
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  • Utilizando a tecnologia de co-embalagem optoeletrônica para solucionar a transmissão massiva de dados - Parte 1

    Utilizando a tecnologia de co-embalagem optoeletrônica para solucionar a transmissão massiva de dados - Parte 1

    Utilizando tecnologia de co-embalagem optoeletrônica para solucionar a transmissão massiva de dados. Impulsionada pelo desenvolvimento da capacidade computacional a níveis superiores, a quantidade de dados está se expandindo rapidamente, especialmente o novo tráfego de negócios de data centers, como grandes modelos de IA e aprendizado de máquina, que está promovendo a crescente demanda por soluções de TI.
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  • A Academia Russa de Ciências, através do seu programa XCELS, planeja construir lasers de 600 PW.

    A Academia Russa de Ciências, através do seu programa XCELS, planeja construir lasers de 600 PW.

    Recentemente, o Instituto de Física Aplicada da Academia Russa de Ciências apresentou o Centro eXawatt para o Estudo da Luz Extrema (XCELS), um programa de pesquisa para grandes dispositivos científicos baseados em lasers de altíssima potência. O projeto inclui a construção de um laser de altíssima potência baseado em...
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